한미반도체, HBM5 겨냥 와이드 TC 본더 2026년 출시

(퍼플렉시티가 정리한 기사)

한미반도체가 차세대 고대역폭메모리(HBM) 생산을 위한 핵심 장비 '와이드 TC 본더'를 2026년 말 출시한다고 4일 발표했다. 이 장비는 업계가 HBM5 세대부터 본격 적용할 것으로 예상되는 와이드 HBM 기술에 최적화돼 있다.​

TC 본더는 인공지능(AI) 반도체용 HBM 제조에 필요한 핵심 장비로, D램 다이를 수직으로 쌓아 올릴 때 정밀한 열과 압력을 가해 접합하는 공정에 사용된다. 한미반도체는 현재 HBM 생산용 TC 본더 시장에서 전 세계 1위를 차지하고 있으며, HBM 장비 관련 120여 건의 특허를 보유하고 있다.​

와이드 HBM으로 기술 방향 전환

최근 메모리 업계는 차세대 HBM에서 D램 다이 사이즈를 수평으로 확대한 '와이드 HBM' 개발을 추진하고 있다. HBM이 고도화될수록 더 많은 메모리 용량과 빠른 데이터 처리 속도가 요구되는데, 20단 이상 고적층하는 방식 대신 다이 면적 자체를 확대하는 방향으로 개발 중이다.​

HBM 다이 면적이 넓어지면 실리콘관통전극(TSV) 수와 입출력 인터페이스(I/O) 수를 안정적으로 늘릴 수 있다. 또한 D램 다이와 인터포저를 연결하는 마이크로 범프 수도 증가해 메모리 용량과 대역폭을 확보하면서도 고적층 방식 대비 열 관리가 용이하고 전력 효율도 개선할 수 있다.​

플럭스리스 본딩 기술 적용

새로운 와이드 TC 본더는 플럭스리스 본딩 기능을 옵션으로 추가할 수 있다. 플럭스리스 본딩은 플럭스 없이 칩 표면의 산화막을 감소시키는 차세대 접합 기술로, 기존 방식 대비 잔류물 세정 공정이 불필요해 공정이 단순화되고 접합 강도를 높이면서도 HBM 두께를 줄일 수 있다는 장점이 있다.​

업계에서는 와이드 TC 본더 도입에 따라 차세대 HBM의 고적층 생산을 위해 검토됐던 하이브리드 본더 도입 시기가 한층 늦춰질 것으로 전망하고 있다. SK하이닉스는 최근 HBM5와 HBM5E를 2029년부터 2031년 사이에 출시할 계획이라고 발표했다.​

곽동신 한미반도체 회장은 "HBM 기술 변화에 발맞춰 신기술을 적용한 와이드 TC 본더 장비를 선도적으로 공급할 계획"이라며 "고객사의 차세대 HBM 생산 경쟁력 강화에 기여할 것"이라고 말했다.